ADR421ARZ-REEL7基准电压源芯片_ADR421ARZ中文资料

ADR421ARZ-REEL7 描述

ADR42x 是一系列超精密、第二代 eXtra 植入结 FET (XFET) 电压基准，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定性，采用 SOIC 和 MSOP 基底面。获得专利的温度漂移曲率校正技术和 XFET 技术最大程度地降低了电压随温度变化的非线性。XFET 架构为带隙基准提供了卓越的精度和热滞后。与埋入式齐纳基准相比，它的工作功率更低，电源净空也更小。ADR42x 具有出色的噪声和稳定精确的特性，是光网络和医疗设备等精密转换应用的理想之选。ADR42x 微调端子还可用于在 ±0.5% 的范围内调整输出电压，而不会影响任何其他性能。ADR42x 系列电压基准有两个电气等级，适用于 -40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围。器件采用 8 引线 SOIC 或更小 30% 的 8 引线 MSOP 封装。

ADR421ARZ-REEL7 特性

- 低噪声（0.1 Hz 至 10 Hz） 

  ADR420：1.75 μV p-p 

  ADR421： 1.75 μV p-p 

  ADR423： 2.0 μV p-p 

  ADR425： 3.4 μV p-p 

- 低温度系数：3 ppm/°C 

- 长期稳定性：50 ppm/1000 小时 

- 负载调节 70 ppm/mA 线路调节： 35 ppm/V 低滞后：典型值 40 ppm 

- 宽工作范围 

  ADR420：4 V 至 18 V 

  ADR421：4.5 V 至 18 V 

  ADR423：5 V 至 18 V 

  ADR425：7 V 至 18 V 

- 静态电流：最大 0.5 mA 

- 高输出电流：10 mA 

- 宽温度范围： -40°C 至 +125°C

 

ADR421ARZ-REEL7 应用

- 精密数据采集系统 

- 高分辨率转换器 

- 电池供电仪器 

- 便携式医疗仪器 

- 工业过程控制系统 

- 精密仪器 

- 光网络控制电路 

 

ADR421ARZ-REEL7 引脚配置（俯视图）